国家/地区 美国（189） 中国（154） 韩国（108） 世界知识产权组织（102） 日本（75） 欧洲专利局（EPO）（54） 台湾（19） 法国（9） 俄罗斯（9） 德国（8） 印度（8） 加拿大（7） 新加坡（7） 巴西（5） 澳大利亚（4） 西班牙（4） 英国（4） 香港（2） 以色列（2）
IPC部 B（317） C（234） H（164）
G（30） D（6） F（5）
A（4）
IPC大类 B82（317）
IPC小类 B82Y（290） C01B（208） H01L（93）
B82B（68） B32B（54） H01B（53）
H01M（48） C23C（43） B01J（38）
B05D（26） C08K（17） H01G（17）
C08L（12） C09D（12） C01G（11）
IPC B82Y040/00（216） B82Y030/00（165） C01B031/04（143）
C01B031/02（127） B82B003/00（59） H01B001/04（40）
B82Y099/00（39） C01B031/00（27） C23C016/26（26）
B32B009/00（24） H01L029/16（24） H01L029/786（20）
H01L021/02（19） H01L021/336（19） B82B001/00（18）
发明人 JIANG K（10） LIN X（10） WANG Y（10）
FAN S（9） XIAO L（9） FAN F Y（8）
HONG B H（8） LEE S（8） ZHANG X（8）
KIM S（7） SHIN H（7） ZHOU M（7）
AHN J（6） CHEN W（6） CHOI J（6）
公开年 2012（160） 2011（80） 2013（77）
申请年 2011（317）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（20） INT BUSINESS.（13） HON HAI PREC.（10） UNIV SUNGKYU.（10）
UNIV TSINGHU.（10） HONGFUJIN PR.（9） KOREA INST S.（9） SAMSUNG TECH.（9）
HANWHA TECHW.（8） UNIV ZHEJIAN.（8） HAIYANGWANG .（7） KOREA ADV IN.（7）
OCEANS KING .（7） SHENZHEN OCE.（7） CENT NAT REC.（6） UNIV SUNGKYU.（6）
UNIV TIANJIN（6） MAX PLANCK G.（5） NOKIA CORP（5） UNIV SUNGKYU.（5）

Manufacture of graphene nanoribbon involves immerging carbon nanotubes in ultra-low temperature tub, injecting immersed carbon nanotubes in liquid water and forming ultra-low temperature tubes by liquid nitrogen.

CHEOL A J, JU K B, JUNG K Y, MIN P S, YEONG L S

Manufacture of reduced graphene oxide nanofluid for use as filler, involves reducing graphene oxide and dispersing reduced graphene oxide in solvent.

JANG J S, MIN S H, LEE C

Manufacture of nanowire for optical element, involves forming metal microparticles on graphene, and forming nanowire of specific group compound by organometallic vapor phase epitaxy.

TATENO K, SASAKI S, HIBINO H, ZHANG G Q, SHO K

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Apparatus e.g. graphene-based metal-insulator-metal diode for use in e.g. rectenna of personal digital assistant, has layers of electrically conductive material separated by layer of optically transparent electrically insulating material.

COLLI A, AWAN S A, LOMBARDO A, ECHTERMEYER T J, KULMALA T S, FERRARI A C, AWAN S, KULMALA T, FERRARI A, ECHTERMEYER T

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Preparing graphene i.e. free of metal contamination and magnetic and organic impurities, used to make battery, comprises reacting graphene oxide dispersion in a solvent, with tin compound and optionally with acid compound, and acid washing.

DUBOIS L, GAMBARELLI S, NANJUNDAN A

Manufacturing method for semiconductor structure, e.g. graphene FET involves forming graphene FET on seed material, and removing seed material.

ADKISSON J W, DUNBAR T J, GAMBINO J P, LEITCH M J, LEACH M, LEACH M J

Nanodevice for generating electromagnetic radiation in terahertz frequency range, has graphene layer which is arranged on substrate and provided with two longitudinal ends electrically connected with source contact and drain contact.

MIKHAILOV S

Manufacture of composite material involves preparing graphene and carbon nanotube raw material, dissolving graphene in solvent, forming dispersed solution, and adding dispersed solution to solution containing solvent having silane.

WEON T O, DAE H K